 | 一般特征外形接口尺寸(宽 x 高 x 深)重量控制器容量NAND 闪存垃圾回收抗震性振动S.M.A.R.TDRAM 高速缓存安全其它 | 2.5英寸 | | | SATA 6Gb/s (兼容SATA 3Gb/s 及 SATA 1.5Gb/s) | | | 100 x 69.85 x 7mm | | | 最高重量:53g | | | 三星 3核 MEX 控制器 | | | 120GB | | | 1x nm 三星 Toggle DDR 2.0 NAND 闪存 (400Mbps) | | | 支持 | | | 1,500G & 0.5ms (半正弦) | | 运行:随机振动: 2.17Grms (7~800Hz)
非运行:随机振动: 3.08Grms (7~800Hz) | | | 支持 | | | 256MB LPDDR2 | | AES 256位 全盘加密 (FDE)
支持TCG-OPAL/eDrive (自2013年10月始) | | | 支持全球名称 (WWN), LED 指示灯 | |
性能连续读取连续写入Random Read (4KB, QD32)Random Write (4KB, QD32)Random Read (4KB, QD1)Random Write (4KB, QD1) | 最大 540 MB/s | | | 最大 410 MB/s | | | 最大 94,000 IOPS | | | 35,000 IOPS | | | 最大 10,000 IOPS | | | 最大 33,000 IOPS | |
环境温度可靠性(MTBF)工作温度湿度 | 平均故障间隔时间:1,5 00,000小时 | | 运行:0°C 至 70°C
非运行:-55°C 至 95°C | | | 5% 至 95%, 不凝结 | |
保修期 支持支持 电源功耗(最大)电源功耗(最大) 平均功耗 : 0.1W **** (典型)
待机功耗 : 0.045W (典型, DIPM开启) |
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